今年5月，阿卜杜拉国王科学技术大学（KAUST）颁发开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，表量子效能（EQE）有所提升，对实现基于单一半导体资料的全彩化Micro LED显示器有沉要的推作为用。在此基础上，KAUST近期又获得了新的突破。
据表媒报路，KAUST开发了可在整个可见光光谱领域内高效发光的Micro LED（μLEDs）芯片，实现Micro LED的全彩化。目前，KAUST团队的有关论文已颁发在《光子学钻延追（Photonics Research）期刊上。
据介绍，氮合金是一种半导体资料，通过正确的化学混合，可能发出RGB三种色彩的光，有助于Micro LED实现RGB全彩化显示。然而，当氮化物芯片的尺寸缩幼至微米级时，发光效能也会随着变弱。
KAUST钻研团队对此作出具体的诠释：缩幼芯片尺寸面对的重要阻碍是在出产过程中LED结构的侧壁会被败坏，而缺点的产生则会导致漏电，进而影响芯片发光。并且，随着尺寸的微缩，这种景象会越发显著，因而LED芯片尺寸局限在400μm×400μm。
不外，KAUST团队在这个难题上实现了突破，开发出高亮度InGaN红光Micro LED芯片，尺寸为17μm×17μm。
据悉，钻研团队选取齐全校准的原子沉积技术研发出10×10的红光Micro LED阵列，并通过化学处置解除了对LED芯片结构侧壁的危险。通过原子级观察（必要专业工具及样品筹备），钻研团队确认，侧壁在经过化学处置后具备高结晶性。
凭据钻研团队观察，芯片表表每2平方毫米区域的输出功率高达1.76mW，而以往的产品每2平方毫米区域的输出功率仅1mW，相比之下，新产品的输出功率显著提升，意味着表量子发光效能显著提升。随后，钻研团队将红光Micro LED芯片与InGaN蓝绿光Micro LED芯片结合，以造作出广色域Micro LED器件。
KAUST以为，凭借高亮度、急剧响应速度、广色域、能耗低蹬着点，InGaN Micro LED将是下一代Micro LED头戴式监督器、挪着手机、电视等设备的梦想规划。下一步，KAUST团队将进一步提升Micro LED的效能，并将尺寸缩幼至10μm以下。
值妥贴心的是，在实现InGaN基Micro LED全彩化的路路上，晶能光电也获得了突破。
据LEDinside相识，晶能光电开发了硅衬底红光Micro LED芯片，并成功造备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列。不外，晶能也坦言，目前其红光Micro LED芯片的表量子效能的测试伎俩还必要进一步优化。
在更幼尺寸Micro LED芯片技术上，今年3月，美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）也已颁发初次展示了尺寸幼于10μm的InGaN基红光Micro LED芯片，不外同样面对表量子发光效能低的问题。据悉，这款芯片在晶圆丈量上测出的EQE仅为0.2%。
UCSB指出，Micro LED的表量子发光效能至少要达到2-5%，才可能满足终端显示器的要求。UCSB的下一步打算是改善资料质量，优化出产步骤，以实现表量子效能的提升。
由此可见，在推动Micro LED实现全彩化和商用化上，各钻研团队仍有较长的一段路要走。但可喜的是，相比往年，今年各方在Micro LED技术上获得的进展均对Micro LED产业拥有关键性的推作为用，终端产品也逐步浮出水面，意味着厂商和消费者离Micro LED又近了一点。
起源：CINNO Research、LEDinside
2026-01-23 
